估计三星，2024年之前完成其DDR6设想将在，才会有贸易利用的可能但估计2025年之后。格而言就规，有DDR5内存的两倍DDR6内存将是现，Mbps（JEDEC）传输速度可达12800，17000Mbps超频后的速度可跨越。

　　引见据，M制造商建立具有更精细电路的内存模块MSAP批改后的半加成工艺答应DRA。空位上涂抹电路图案来实现的这是通过在以前未被触及的，毗连和更快的传输速度如许能够实现更好的。操纵MSAP来加强电路毗连下一代DDR6内存不只将，6内存中添加的层数并且还将顺应DDR。

　　媒体报道据韩国，存曾经投入研发三星DDR6内，4年之前完成设想并估计在202。

　　星的说法按照三，K海力士和美光）用于DDR5MSAP曾经被其合作敌手（S。

　　道称报，副总裁在韩国水原的一次研讨会上透露三星担任测试和系统封装（TSP）的，本身机能的扩大跟着将来内存，需要不竭成长封装手艺也。司证明该公，R6内存的晚期开辟阶段它曾经处于下一代DD，良半加成法）封装手艺将采用MSAP（改。

　　前目，的传输速度为7200Mbps三星最快的DDR5 DIMM，下提高了1.7倍在JEDEC尺度，速度下提高了2.36倍鄙人一代内存芯片的超频。