京城四少李小勇SK 海力士在去年 11 月推出了移动 DRAM LPDDR5X，现在将其性能提升成功开发出了 LPDDR5T。本次产品的速度比现有产品快 13%，运行速度高达 9.6Gbps（Gb / s）。命名规格名称“LPDDR5”加以“Turbo”后缀显示更强性能。LPDDR5X 速度为 9.6Gbps。

　　同时，LPDDR5T 在国际半导体标准化组织 (JEDEC) 规定的最低电压 1.01~1.12V（伏特）下运行。本次产品兼具高速度和低功耗的特性。

　　公司近期向客户提供了将 LPDDR5T 芯片组合为 16GB (千兆) 容量的封装样品。该样品的数据处理速度可达每秒 77GB，相当于每秒处理 15 部全高清（Full-HD）电影。

　　IT之家了解到，SK 海力士计划采用第 4 代 10 纳米级（1a）精细工艺，将于今年下半年推进本次产品的量产。

　　另外，SK 海力士在本次产品中也采用了“HKMG（High-K Metal Gate）” 工艺，实现最佳性能表现，公司预计在下一代 LPDDR6 问世之前，大幅拉开技术差距的 LPDDR5T 将主导该市场。

　　LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的 DRAM 规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有“LP（Low Power，低功耗）”，最新规格为第七代 LPDDR（5X），按 1-2-3-4-4X-5-5X 的顺序开发而成。LPDDR5T 是 SK 海力士业界首次开发的产品，是第八代 LPDDR6 正式问世之前，将第七代 LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。

　　HKMG（High-K Metal Gate）：在 DRAM 晶体管内的绝缘膜上采用高 K 栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK 海力士去年 11 月在移动 DRAM 上全球首次采用了 HKMG 工艺。