成人小说下S20系列和小米10系列先后发布,全新的LPDDR5内存成为两家的共同卖点之一,作为面向移动式,LPDDR5与当前主流的LPDDR4X相比,性能暴涨的同时让设备获得更佳的综合续航表现,部分媒体甚至喊出
一句线是移动平台当前最新一代内存规范;2、DDR5是电脑平台的下一代内存规范;3、GDDR5是独立显卡的上一代显存规范,三者分别是三个不同平台的动态存储器规范。
手机中的LPDDR5带来可观性能增长的同时,也给不少朋友带来了一些疑问,比如LPDDR5跟DDR5有什么关系?显卡显存现在都用上了GDDR5了,手机为啥才用LPDDR5?DDR、LPDDR和GDDR这三种名字中都带有“DDR”的“内存”之间又有啥关系?
带着这些疑问,本文将来谈谈DDR、LPDDR和GDDR三者之间的关系与区别,以及当前最新的内存技术都在怎样的发展状态。
LPDDR是在DDR的基础上多了LP(Low Power)前缀,又称为mDDR(Mobile DDR SDRAM),拥有比同代DDR内存更低的功耗和个小的体积,该类型芯片主要应用于移动式电子产品等低功耗设备上,主流的LPDDR4X是LPDDR4的省电优化产品,如无意外,最新一代的LPDDR5内存将搭载在本年度绝大部分的旗舰手机上。
GDDR是在DDR的基础上多了G(Graphics)前缀,主要用于高速图像处理的场合,比如计算器的显卡中,可以简单理解为专门为显卡而做的DDR内存,这种内存与普通DDR相比,拥有更高的时钟频率和更小的发热量,最新一代GDDR6显存已经搭载在英伟达(NVIDIA)最新一代RTX20系显卡和AMD最新一代5000系显卡上,标准规范主要由GPU(起始位ATI和NVIDIA)厂商联合制定。
通过上述简单整理,大概可以了解到这三者之间的明显区别,虽然同样作为临时数据存储器,大部分衡量指标也类似,但具体应用场景还是有较大差异的,从应用场景来说,DDR主要应用在PC,LPDDR主要应用在便携设备,GDDR主要应用在显卡上。
使用场景相对接近的LPDDR和DDR,在发展过程中有较大的交集,LPDDR在LPDDR4之前都是基于同代的DDR发展而来的,同一代的LPDDR拥有比DDR更好的能耗比,但DDR拥有更高的性能上限。
而从第四代开始,两者开始走上不一样的发展道路,DDR主要是通过提高核心频率来提升性能,而LPDDR继续选择提高Prefetch预读取位数,而在投入商用的先后方面,LPDDR4抢在DDR4之前登陆消费者市场,两者由类似从属的关系开始演变变成两套相对独立的规范体系,分别根据自己的应用场景需求向前发展。
在两者当前最新的产品线里,LPDDR跟DDR的规格差异已经比较大,LPDDR3和DDR3这种主要参数基本一致的情况已经不复存在,两者之间的通用性也自然没有前代这么强。
拿LPDDR4和DDR4来说,LPDDR4是用两个16位通道组成32位总线的Prefetch预读取位数为16bit,而DDR4为8bit,这在实际运算过程中,DDR4的性能利用率会更高,但LPDDR却可以用更低的功耗来获取更高的理论性能。
这些改变是两个不同规范,针对两个不同平台的实际应用需求作出的改进,但这些改进也影响了两者之间的通用性,对其他硬件和软件的兼容性提出了更高的要求,也是英特尔酷睿系列在第六代支持DDR4后,一直到第十代才加入对LPDDR4的支持的一个重要原因。
而最新的LPDDR5再次成功抢跑DDR5,在DDR5规范还没正式确定的时候已经完成了量产,LPDDR5自然也不是根据DDR5的基础上改进而来,而是在LPDDR4X的基础上针对移动平台重新设计的新一代低功耗内存规范,未来的DDR5是基于DDR4演进而来的,两者之间的差异将越来越大。
GDDR跟另外两者几乎没什么直接竞争关系,在应用场景上也鲜有交集,基本在默默辅助着显卡们,跟随着GPU技术的发展而不断改进着自己性能,现在已经来到了第六代的GDDR6(Graphics Double Data Rate, version 6 ),这个“6”也是很多人的认识误区的来源,GDDR6的看上去似乎比另外两位“高级”一点,LDDR5似乎没什么厉害的啊。
但实际上,同为“5”代的GDDR5技术已经应用了十多年,与DDR4比都不在一个时代,更不用说刚开始商用的LDDR5技术,GDDR5、GDDR4、GDDR3都是基于DDR3内存技术开发而来的,而最新的GDDR6是基于DDR4内存技术开发而来的。
由于性能侧重点的不同,三者发展路线是相对独立的,虽然GDDR目前为止仍是基于相对较“旧”的DDR3/4规范,但是自身的代数已经率先演进到第六代的GDDR6,在数据位宽等最影响显卡性能表现的参数方面,拥有远超同期DDR的运行频率,而其自身的发展基本不再需要很依赖DDR技术的向前演进。
上文提到的DDR和LPDDR目前为止还可以用同一数字就是同一代的方法来区分,但GDDR自GDDR3后,虽然名字里都有DDR,但不能再用后缀数字来区分它与DDR之间的代数关系。
总结一下DDR、LPDDR、GDDR三者的关系,LPDDR和GDDR在起始阶段都是根据自身的应用场景依照DDR规范发展改进而来,但都在后面根据自己的实际应用需求发展出不同“偏科”方向的独立新规范,现在最新的DDR4、LPDDR5、GDDR6已经不可以简单的进行性能对比或互为演进代数的参照。
在演进的速度方面,DDR是最慢的,GDDR的代数目前为止最多,但主要是其中部分规范,如ATI主导制定的GDDR4规范基本没什么存在感就被淘汰了,LPDDR近几年由于手机等便携平台的发展迅速,进入了高速发展迭代期,这也是从LPDDR4开始连续抢跑的源动力。
除此之外,PC平台最近今年的整体迭代速度也在放缓,内存也远没有到成为瓶颈的时候,但LPDDR内存由于在便携设备的功耗占比较高,还承载着部分显存的责任,其升级对移动平台的性能发挥和续航表现的影响,有着比DDR升级于PC更显著的效果,用户在日常使用中的感知也更强,自然也拥有更大的市场推动力。
而在具体性能方面,由于各有“偏科”,在各自最新一代规范中,虽然存在许多相同的参考标准,但都各有侧重,单独把某些性能拿出来对比并不能准确地比较出各自的优势。比如LPDDR5目前在数据传输速率上,理论性能的确领先DDR4一个身位,但因为这个理由就鼓吹LPDDR5可以吊打DDR4其实并不合适,毕竟高通、苹果和华为这几年在ARM架构处理器上疯狂提高移动设备的运算性能,也没有让英特尔和AMD在PC领域中受到太多的直接冲击。
4 时序参数/压力测试。校准后,我们尝试使用以下不同选项进行压力测试。它因选项“失败时停止”而失败,并因选项“禁用内存缓存”而
3 的支持添加到 i.MX7ULP。我已经参考了以下链接并使用来自 Micron
数据表的时序参数修改了 xls 表,现在不确定如何在 uboot 中添加这些 .ds init 代码内容以启动。
SDRAM在一一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而
内存则是-一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。
5; Flash会区分颗粒的类别:TLC/MLC/SLC; 也会区分颗粒的容量 8G/16G/32G/64G; 同时也区分
6已经提上日程,DRAM市场可谓瞬息万变。 我们再来看看显存市场,似乎仍停留
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SDRAM(Synchronous Dynamic random access memory)即同步动态随机存取存储器。常用SDRAM的种类有SDRAM、
基本介绍与原理图设计 /
不同,这一代存在许多设计挑战,需要 SoC 和系统设计人员仔细评估完整的
容量1GB(型号:K4E8E324EB-EGCF)可以烧入,容量2GB(型号:K4E6E304EC-EGCG)烧入失败,EMMC容量都是8GB,系统电压正常,帮忙分析下原因,谢谢!附上失败图片和
在Versal新一代ACAP器件上,除了延续之前Ultrascale/Ultrascale+系列器件上已有的
我司购买了OKMX8MP开发板,虽然飞凌的对应Android版本还在开发中,我想在官方Android11.0基础上进行飞凌OKMX8MP开发板的适配,所以想请问下IMX8MP
内存。因为2000年后电脑游戏特别是3D游戏的发展和火爆,使运行电脑游戏的显卡需要
作者:AirCity 2019.12. 本文所有权归作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
文所有权归作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的缩写,即“双比特翻转”。
5) 内存。该款内存经过硬件评估,满足最高级别的汽车安全完整性等级 (ASIL) 标准,即
手机参数为什么都是8GB+128GB?手机的这些参数是越大越好吗?这些数字代表什么?
5带来了哪些改变? /
的主板,回收一切内存芯片:不管你是NOR flash还是NAND FLASH;不管你是
;不管你是TSOP, 还是BGA,还是LGA;不管你是MCP还是EMMC,我们均可回收,只要
内存连接到ADSP-SC5xx/ADSP-215xx处理器 /
系列不同,这一系列产品还存在许多设计挑战,它要求SoC和系统设计人员仔细评估整个
, 深圳帝欧长期回收内存芯片,帝欧赵生/879821252/1714434248邮箱
` 本帖最后由 于 2020-10-17 10:33 编辑 RK3288
5内存了,容量也达到了8GB以上,16GB也不新鲜。但是电脑上的内存还是
5,“LP”(Low Power)代表低功耗,更加适合小尺寸封装,虽然每一代
5内存抢跑 PC依旧慌而不乱 /
?我们又该怎么选呢? 要在两个价格差别不大的显卡中选择,性能当然是第一位的了。按理说
在哪里 /
4分别省电50%、47%,手机续航更持久。同时在运行超大游戏,或是录制4K
?手机闪存:eMMC、UFS宏旺半导体之前说过,eMMC、UFS是闪存,
随着vivo推出iQOO 3和realme推出realme X50 Pro这两款都有着非常强悍的性能5G手机上市,人们开始关注性能优异的
5的话题再次走进大众的视野范围当中。对于目前的情况来说,我们到底应该做一个等等党等
严格来说,合肥长鑫的内存不是第一款国产DRAM内存芯片,紫光旗下的紫光国微之前也有
内存研发,也曾少量用于国产的服务器等产品中,但是紫光国微没有生产能力,
3 RAM的2倍更快速的RAM意味着应用的启动速度更快,这对于在执行多任务时启动重量级应用至关重要。而
.品牌:Micron,Samsung,SK Hynix,Nanya,Winbond.2. 闪存IC : Nand Flash,Nor Flash,Emmc,UFS,MCP.品牌
可能就无法访问数据了,严重的话会造成数据丢失,你微信很多重要云数据比如微信钱包和通讯录等会不翼而飞。最后,
一点的是:双通道内存除了可以较为明显地提升集成显卡的性能,对独立显卡平台的性能却没有多少增益效果。那手机内存
。对于我的应用,温度可能很高。我能做些什么才能进入~40°C区域?降低内存频率并没有太大帮助。会改用
存储器接口存在的问题 /
4的设计资料概述及分析仿真案例概述 /
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供应商给的建议是之前 c die 是旧版 和Q DIE 制程不同需要主芯片厂确认是否有验证这个必须主控验证,客户可直接和主控确认;如果主控已经认证客户直接调试应该就可以这个和选用的新的
3的预期为8bit,所以突发传输周期(BL,Burst Length)也固定位8,而对于
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力,因为它提供了广泛的性能,用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念,及介绍了SDRAM、
3P232SD6-V12-20140623HXS(2)适用的平台:RK3288;(3)支持的
4的基础上数据速率和密度再翻一倍,单颗粒容量可达32Gb,并预计会在2020年开始商用。 很多人会把
5技术混淆,实际上两者应用场合不一样。下面这张图展示了目前三种主流内存技术(
5芯片的设计 /
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3P232SD6-V12-20140623HXS(2)适用的平台:RK3288;(3)支持的
吗?作为消费者,其实我们可主宰自己的命运,用知识的武器捍卫自己的选择。下面
3系列产品这是后话).如果这种说法和用法用在一年前那么我们可以理解因为不会产生歧义,虽然这种用法是有待商榷的。但是如果在今天还是用
嵌入式测试和测量挑战目录引言3-4DRAM发展趋势 3DRAM4-6SDRAM 6-9
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