坏丫头音译一个月前刚刚宣布量产新一代HBM3E高带宽存储芯片的英伟达供应商SK海力士，现在又朝着下一代产品迈出崭新征程。

　　当地时间周五，SK海力士与台积电发布公告，宣布两家公司就整合HBM和逻辑层先进封装技术签订谅解备忘录。双方将合作开发第六代HBM产品（HBM4），预计在2026年投产。

　　众所周知，高带宽内存（High Bandwidth Memory）是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。

　　SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的Radeon R9 Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。

　　海力士在之前的HBM芯片制造中，一直采用自家制程工艺。然而，随着HBM4产品的问世，该公司宣布将与台积电合作，利用后者的先进逻辑工艺制造基础裸片，从而生产出性能更优、功能更丰富的定制化HBM产品。

　　双方还计划进一步合作，优化HBM产品与台积电的CoWoS技术的融合。此次合作使得海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片，并继续作为英伟达的主要供应商。对于台积电而言，AI服务器业务在当前市场环境下成为维持业绩的重要支柱，公司计划将部分资本支出用于先进封装技术的研发。

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