红楼如海如渊DDR，又称双倍速率SDRAM。Dual Data Rate SDRAM DDR SDRAM是一种高速CMOS动态随即访问的内存。美国JEDEC的固态技术协会于2000年6月公布了双数据速率同步动态存储器(DDR SDRAM)规范，JESD79由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输，所以即使在1333MHz的总线GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准，它仍然可以沿用现有SDRAM 的生产体系，制造成本比SDRAM 略高一些，但远小于Rambus的价格。DDR存储器代表着未来能与Rambu 相抗衡的内存发展的一个方向。

　　DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一 个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和差分信号的两种规格产品。

　　根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling(传统SE信号)方式DifferentialSignaling(差分信号技术)方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。

　　DDR4内存的标准规范已经基本制定完成，三星、海力士等也早都陆续完成了样品，但因为DDR3正处于如日中天的壮年期，DDR4并不会急匆匆地到来。最新消息显示，DDR4内存会于2014年首先用于服务器领域，然后再过一年半左右才进入桌面。

　　据悉，Intel的再下代企业级服务器平台Haswell-EX将会第一个整合DDR4内存控制器。Haswell-EX和我们经常展望的Haswell属于同一家族，面向数据中心等大型企业领域，最多拥有16个核心，四路就是64核心。DDR4内存不仅会带来频率的大幅提升(最高可达4266MHz)，更会有1.2V低电压、更好的对等保护和错误恢复等技术，这些大规模用于服务器和企业中心自然能看到立竿见影的好处。

　　至于桌面上，22nmHaswell、14nmBroadwell都会使用相同的LGA1150封装接口，内存控制器自然也都局限于DDR3，DDR4的支持很可能要等到再往后的14nm工艺新架构“Skylake”，那就是大约2015年的事情了。

　　这样的步调可不算快，之前市场调研机构曾经认为，DDR4内存到2015年就应该基本普及了。不过也好，升级太快了不见得是什么好事儿，大家可以更安心地享受廉价DDR3了。

　　另外，如果你担心Haswell、Broadwell会因此在内存性能上无所作为，倒也大可不必，因为一则DDR3的频率肯定会越来越高，二者这两代新处理器会有超低延迟内部内存控制器总线、刷功能被浮点峰值发射率、FMA运算、四级缓存等新特性，都有利于带来更好的内存性能。