韩伦影伦美光宣布，基于最新1纳米工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经投产

　　这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的BEOL后端工序。

　　不过美光没有透露使用了多少EUV光刻层，猜测目前只是在关键层上用EUV，否则就得多重曝光，增加时间和成本。

　　美光的1 DDR5单颗容量为16Gb(2GB)，可以轻松组成单条容量128GB的企业级产品，号称容量密度比1的再次增加30％，事实上之前每代提升工艺都能增加30％的密度。

　　它只需要1.1V的标准电压，就能达到9200MHz(严格来说是9200MT/s)的超高频率，而目前市面上常见的高频内存往往得1.35V甚至1.45V的高电压。

　　更低的电压不但更安全，还能节省功耗，号称比1工艺的最多降低20％。

　　目前，美光1 DDR5内存只在日本工厂生产，后续会逐步扩大产能，相关产品预计今年年中左右上市。

　　未来，美光在中国台湾的工厂也会引入EVU，并使用1工艺制造GDDR7显存、LPDDR 5X高频内存(最高9600MHz)。