行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间Fast RAS To CAS Delay：。CAS#下降之间的时间凡是是RAS#下降到。

　　de或Page Interleaved模式的工作速度更快RAS Timeout Counter：使Page Mo。过内存RAS周期由于有可能会超，来监督RAS周期因而采用计数器，RAS周期一旦跨越，主动复位为0则将周期 。

　　：能否利用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)External Cache Memory。系统机能能够提高。缓存的CPU的呈现AMD新的具有两级，存退居成三级缓存使主板上的二级缓。

　　e：设置CPU向内存写数据时的期待时钟周期DRAM Write Wait Stat。能够设置更多的期待在内存比CPU慢时。

　　Sound：能否发出内存自检的滴嗒声Memory Test Tick 。闲它烦若是您，闭它们能够关。

　　sh：对证量好的内存Slow Refre，时间比力长连结数据的，长的时间周期能够设置更，系统机能从而提高。

　　e：有人称作内存孔洞Memory Hol。域留给一些特殊的ISA扩展卡利用把内存地址15MB-16MB的区，作速度或避免冲突能够加快该卡工。置成禁止一般被设，卡有特地的申明除非ISA扩展。

　　os里面怎样设置内存本文为大师引见下bi，理了一些下面整，以参考大师可下

　　resh：直译是同时发生的刷新Concurrent Ref。O操作时对内存同时刷新设置CPU在对其它I/，系统机能能够提高。

　　置系统对SDRAM内存的行地址触发时间SDRAM RAS Timing：设，新时间也即刷。

　　 Check：设置能否要设置内存奇偶校验Memory Parity Error。存条利用时代多在30线内，被裁减曾经。奇偶校验设置会使电脑无法开机但把非奇偶校验内存强行进行。

　　BIOS或显示卡BIOS能否映照到常规内存中Shadow RAM Option：设置系统。快速度能够加，形成死机但也可能。

　　ve Read：设置成答应时DRAM Speculati，时间提前一个时间周期读内存的时间比一般，系统机能能够提高。

　　ion：设置内存的行地址刷新时间周期Refresh RAS Assert，存能够延迟刷新对证量好的内，系统机能从而提高。

　　t：设置选择对EDO内存读/写的快速路子Fast EDO Path Selec，系统机能能够提高。

　　st：设置开机自检时能否检测1M以上内存Above 1MB Memory Te。BIOS中被裁减该选项曾经在新的。价钱暴跌因为内存，存容量陡然添加电脑用户安装内，内存自检时间太长开机时的大容量，后今，也会呈现答应/禁止开关即便一遍的内存检测可能。

　　ration：设置为答应时Auto Configu，最佳形态设置BIOS按照。动设置内存按时BIOS能够自，对内存设置的点窜因而会禁止一些，答应体例建议选择。

　　0% 笔记本产物普及要比及2023年左机构预测DDR5内存条将比DDR4贵3右

　　RAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟SDRAM RAS Latency：设置SD。

　　：设置CPU从内存读数据时的期待时钟周期DRAM Read Wait State。能够设置更多的期待在内存比CPU慢时。