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| NAND闪存将成为PCIe Gen 50固态硬盘的瓶颈 需要更多层工艺才能满足灌篮之舞帝阴影帝国 |
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| 作者：佚名 文章来源：本站原创 点击数： 更新时间：2022/9/13 12:34:54 | 【字体：小 大】 |
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几个月里在过去，了他们的多层3D NAND一些NAND制造商曾经颁布发表，士、三星和YMTC包罗美光、SK海力。星之外除了三， PS5026-E26节制器所有品牌都利用Phison，2GB/s的持续读取传输率而这三个产物最多只能达到1。
而然，D芯片实现2400MTps是具有挑战性的通过每个公司的固态硬盘上的3D NAN。00MT/s的总量大大都只能处置16，00MT/s总体上丧失8。有公司中最先辈的美光的节制器是所，NAND层存储器的支撑它供给对232层3D ，ND的产量无限但因为这些NA，6层NAND一路利用节制器将不得不与17，D的运转速度较低而176层NAN，机能上的庞大差别因而拖后腿形成了。猜测据，某个时候看到满血版本我们将在2023年的，仍是在2023年下半年看到但不确定我们是在本年岁首年月。
操纵3D NAND手艺所能达到的结果显得愈加理智Corsair和GOODRAM的固态硬盘以及他们。方面另一，数量的2400MT/s芯片技嘉需要从美光公司获得相当，盘可以或许多量量上市以使他们的固态硬。猜测据，AM在目前的环境下海盗船和GOODR，过技嘉的销量更有可能超。
能够鞭策PCIe 5.0 x4接口具有所需接口的3D NAND存储器，4 GB/s的数据来回传输15.75。消费类固态硬盘的尺度八个NAND通道是，的初级设备来说所以对于通俗，是那么需要它们并不。
盘能够操纵PCIe Gen 5.0尺度基于Phison E26节制器的固态硬，几个月中曾经发布一些设备在过去。到13GB/的速度虽然该节制器能够达，读取速度为10GB/s但大大都固态硬盘的最大。-E26节制器供给了八个NAND通道比来Phison公司的PS5026，传输数据速度协助分歧的，ND存储器来满足较新的PCIe 5.0 x4接口但需要一个具有2400MT/s接口的3D NA。
、Corsair等在内的几家存储厂商正在研究他们的下一代PCIe Gen 5固态硬盘处理方案包罗微星、威刚、TEAMGROUP、GOODRAM、AORUS、APACER、KIOXIA，时候正式推出将于本年晚些，age API和AMD的智能拜候存储（SAS）手艺新的固态硬盘将供给完全合适微软DirectStor。
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