海霞姐是男是女原标题：矽源特NS2582是4-5.5V输入电压范围，输出2A同步升压双节锂电池充电管理芯片。

　　矽源特ChipSourceTek-NS2582是一款支持4-5.5V输入电压范围，最大输出为 2A 电流的同步升压双节锂电池充电管理芯片。芯片内部集成了极低导通电阻的MOSFETS，以实现较高的充电效率，芯片只需要极少数的外围器件。矽源特ChipSourceTek-NS2582工作频率为1.2MHz，内部集成了多重保护功能，能够最大程度的保护芯片和终端设备。可通过调节RICHG电阻的阻值改变CC模式下的充电电流大小，通过调节 CV 脚可分别选择8.4V或8.7V的恒压点。芯片内置输入适配器电流限制的DPM功能，通过外置分压电阻设置不同的VSEN电压，以匹配不同适配器。芯片集成温度调节环路，可以智能调节充电电流从而控制芯片温度。矽源特ChipSourceTek-NS2582 还内置了充电状态显示功能，通过LED的状态判断电池的工作状态。还支持在无电池模式下，同步升压功能的正常工作。

　　3、升压拓扑的开关管回路面积要尽量小，走线、尽量加大 GND 热焊盘的面积，提高芯片的导热效果；

　　5、功率开关节点（SW Node）通常是高频电压幅值方波，所以应保持较小铺铜面积，且模拟元件应远

　　6、电路外围电阻的放置要尽量靠近引脚，并且远离 SW 网络走线，以避免噪音干扰。

　　矽源特ChipSourceTek-NS2582 是一款支持 4-5.5V 输入电压范围，最大输出为 2A 电流的同步升压双节锂电池充电管理芯片。矽源特ChipSourceTek-NS2582 工作频率为 1.2MHz，内部集成了多重保护功能。芯片可通过调节 RICHG 电阻的阻值改变 CC 模式下的充电电流大小。矽源特ChipSourceTek-NS2582 具有动态路径管理功能，通过连接 VSEN 引脚的分压电阻网络来设置输入 DPM 触发的阈值电压，并限制输入电流值的大小，从而匹配不同的适配器。矽源特ChipSourceTek-NS2582 芯片内部集成了极低导通电阻的 MOSFETS，以实现较高的充电效率，芯片只需要极少数的外围器件。

　　3.“错误状态”——STAT 引脚以 1Hz 频率高低电平翻转。如果 STAT 引脚连接 LED 灯到 VIN，则在充电状态时，LED 常亮；在充满状态时，LED 常灭；在错误状态时，LED 以 1Hz 的频率闪烁。

　　矽源特ChipSourceTek-NS2582 是一款以 USB 接口输入的开关模式升压充电器。采用固定 1.2MHz 的工作频率以实现外围电路最小化的设计。矽源特ChipSourceTek-NS2582 在有电池时，会根据电池电压工作在短路模式，涓流模式，恒流模式和恒压模式。在无电池模式下，可以作为正常的升压转换器连接负载，其内部集成了恒压和恒流环路。

　　矽源特ChipSourceTek-NS2582 内置了多重电池保护功能。在输入过压保护，输出过压保护，热保护触发时，升压充电器会立即关闭 MOSFETS。当电池电压低于 VSHORT，触发短路保护时，主功率管立即关闭，芯片以 50mA的电流充电。当电池电压大于 VSHORT 而小于 VTRICKLE 时，充电器工作于轻载模式，调整 PMID 电压至6.8V，并以 100mA 的电流充电。当电池电压高于 VTRICKLE 时，芯片工作在 CC 模式下对负载进行充电。

　　矽源特ChipSourceTek-NS2582 内置了 DPM 功能模块，可以在输入 DC 源或适配器过载时很好的保护设备。当过载发生时，较大的充电电流会拉低 VIN 的电压值，芯片会检测 VIN 的电压值与 SEN 引脚基准电压比较，如触发了DPM 功能，矽源特ChipSourceTek-NS2582 会减小充电电流，并钳位 VIN 的电压。

　　矽源特ChipSourceTek-NS2582 可以设定电池恒压模式的电压值。当 CV 电压小于 1V 时，恒压模式电压为 8.4V；当 CV 电压大于 2V 时，恒压模式电压为 8.7V。