学特聘传授Sayeef Salahuddin说:“我们曾经证明该研究的高级作者、加州大学伯克利分校台积电电气工程和计较机科,比市道上的晶体管更好我们的栅极氧化物手艺。半导体行业所能做到的今天价值数万亿美元的,能够击败他们我们根基上。”
发觉测试,晶体管比拟与现有的,电压将削减约30%这些晶体管需要的,体行业的基准同时连结半导,失靠得住性而且不损。
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景、供需环境、市场规模、合作款式等行业现状进行阐发本演讲前瞻性、当令性地对半导体存储器行业的成长背,器行业成长轨迹及实践经验并连系多年来半导体存储,体存..对半导.
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为栅极氧化物的机能若何为了测试超晶格布局作,体管并测试了它们的能力该团队制造了短通道晶。
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种叫做负电容的效应实现的这种效率的提高是通过一,中储存电荷所需的电压它有助于削减在材料。8年从理论上预测了负电容的具有Salahuddin在200,铁电晶体中展现了这种效应并在2011岁首年月次在一个。
能越来越小计较机可,来越强功能越,量的能源来运转但它们需要大。总量在过去十年中急剧上升美国用于计较的能源耗损,近其他行业并敏捷接,交通如。
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》上的一项研究中在颁发在《天然,算机构成部门的细小电子开关)的设想中的一项严重冲破加州大学伯克利分校的工程师们描述了在晶体管(形成计,能的环境下大大降低其能源耗损它能够在不牺牲速度、尺寸或性。为栅极氧化物该组件被称,中起着环节感化在晶体管的开关。
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化锆的分层堆叠构成的工程晶体中实现负电容这项新的研究显示了若何在一种由氧化铪和氧,先辈的硅晶体兼容这种晶体很容易与。纳入模子晶体管通过将这种材料,大降低节制晶体管所需的电压量该研究展现了负电容效应可以或许大,机所耗损的能源量并因而降低计较。
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