英特尔手机处理器因设计缺陷导致过热燃损李波儿整容劳春燕老公 |
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作者:佚名 文章来源:本站原创 点击数: 更新时间:2022/9/23 9:13:58 | 【字体:小 大】 |
立查询拜访成果显示第三方机构的独,特尔供给的 SoFia 处置器芯片发生燃损毛病的智妙手机都采用了英。缺陷导致手机在运转时发烧过高这些芯片可能由于具有某些设想。告状书中暗示Qbex 在,晓得具有这些缺陷英特尔从一起头就,固件升级降低发烧并且也许诺会通过。
场的半导体巨头英特尔曾经淡出手机处置器市,名叫Qbex的 3C 设备制造商告上了法庭比来由于自家处置器具有设想缺陷被巴西一家。
顾客其实太多但因为赞扬的,采用了 SoFia 的产物Qbex 不得不断售所有。
x 的说法按照Qbe,0 次客户赞扬和 4000 起法令诉讼这家公司在巴西曾经收到了跨越 3500。的手机呈现了过热以至燃损现象告状的缘由是 Qbex 出产。
被普遍报道后这桩诉讼案,司讲话人回应称英特尔的一位公,特尔的 SoFia 处置器相关目前没有证据表白设备燃损与英。
尔产物库网站此刻查询英特,器下找到 SoFia 的产物消息仍能在 Atom X 系列处置。器具体型号为 C3230RK此次呈现过热燃损问题的处置,纳米制造工艺采用 28 , 1.1GHz最高运转频次,只要 2GB最大支撑内存。
的产物线大调整中在客岁 4 月,手机处置器市场英特尔颁布发表退出。ex 说而 Qb,125 万片 SoFia 芯片英特尔在那之后还试图向它发卖 。
年的幻灯片显示一张 2014,系列芯片的定位是入门级英特尔给 SoFia ,G 通信制式仅支撑 3。瑞芯微电子合作开辟它由英特尔和福州,妙手机和平板电脑采用次要被一些入门级的智。
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