和 CPU 主频一样三：内存频次内存主频，示内存的 速度习惯上被用来表，达到的最高工作频次它代表着该内存所能。（兆赫）为单元来计量的内存主频是以 MHz 。表着内存所 能达到的速度越快内存主频越高在必然程度上代。能在什么样的频次正 常工作内存主频决定着该内存最高。 和 400MHz 的 DDR 内 存目前较为支流的内存频次室 333MHz，7MHz 的 DDR2 内存以及 533MHz 和 66。晓得大师，计较

　　与 DDR 的区别与 DDR 比拟一：DDR2 与 DDRDDR2 ，在内存模块速度不异的环境下DDR2 最主 要的改良是，R 内 存两倍的带宽能够供给相当于 DD。利用两个 DRAM 焦点来实现的此次要是通过在每个设备上高效率。对比作为，可以或许利用一个 DRAM 焦点在每个设备上 DDR 内存只。上讲手艺，有一个 DRAM 焦点DDR2 内存上仍然只，以并行存取可是它可， 个数据而不是两个数据在每次存取中处置 4。企图与双倍速运转的数据缓冲相连系DDR2 与 DDR 的区别示，周期处置多达 4bit 的数据DDR2 内存实现了在每个时钟，理的 2bit 数据高了一倍比保守 DDR 内存 能够处。一个改良之处在于DDR2 内存另，替代了保守的 TSOP 体例它 采用 FBGA 封装体例。而然，AM 焦点速度和 DDR 的一样虽然 DDR2 内存采用的 DR，板才能搭配 DDR2 内存可是我们仍然要利用新 主，格和 DDR 是不兼容 的由于 DDR2 的物理规。口纷歧样起首是接，数量为 240 针DDR2 的针脚， 为 184 针而 DDR 内存；次其，IMM 电压为 1.8VDDR2 内存的 VD，存的 2.5V 分歧也和 DDR 内 。RAM 是由 JEDEC（电子设备工程结合委员会）进行开辟的重生代内存技 术尺度DDR2 的定义： DDR2 Double Data Rate 2） （ SD，存手艺尺度最大的分歧就是它与上一代 DDR 内，下降延同时进行数据传输的根基体例虽然同是 采用了在时钟的上升/，内存预读取能力（即：4bit 数据读预 取） DDR2 但 内存却具有两倍于上一代 DDR 。以 4 倍外部总线的速度读换句线 内存每个时钟可以或许/

　　是 100MHz的焦点工作频次， 的延迟要高于 DDR400也就是说 DDR2-400。实不 在于用户们所认为的两倍于 DDR 的传输能力2、封装和发烧量：DDR2 内存手艺最大的冲破点其，量、更低功耗的环境下而是在采用更低发烧 ，得更快的频次提拔DDR2 能够获， 400MHZ 限制冲破尺度 DDR 的。TSOP 芯片封装形式DDR 内存凡是采用 ，工作在 200MHz 上这种封装形式能够很好的，更高时当频次，生很高的阻抗和寄生电容它过 长的管脚就会产，和频 率提拔的难度这会影响它的不变性。很难冲破 275MHZ 的缘由这也就是 DDR 的焦点频次。用 FBGA 封装形式而 DDR2 内存均采。 TSOP 封装形式分歧于目前普遍使用的，更好的电气机能与散热性FBGA 封装供给了，将来频次的成长供给了优良的保障为 DDR2 内存的不变工作与。用 1.8V 电压DDR2 内存采 ，尺度的 2.5V相对于 DDR ，了不少降低，小的功耗与更小的发烧量从而供给了 较着的更，是意义严重的这一点的变化。：除了以上所说的区别外DDR2 采用的新手艺，了三项 新的手艺DDR2 还引入，T 和 Post CAS它们是 OCD、 OD。OCD ： 也就是所谓的离线驱动调整（Off-Chip Driver） ，D 能够提高信号的完整 性DDR II 通过 OC。拉（pull-down）的电阻值使 两者电压相等DDRII 通过调整上拉（pull-up）/下。QS 的倾斜来提高信号的 完整性利用 OCD 通过削减 DQ-D；来提高信号质量通过节制电压。建焦点的 终结电阻器ODT：ODT 是内。了防止数据 线终端反射信号需要大量的终结电阻我们晓得利用 DDRSDRAM 的主板上面为。板的制形成 本它大大添加了主。际上实，电路的要求是纷歧样的分歧的内存模组对终结，结终电

　　宽，结果倒是分歧的可是二者所达到。 具备互补性的智能内存节制器双通道系统包含了两个独立的、，上来说理论，此间零延迟的环境下同时运作两个内存节制器都可以或许 在彼。内存节制器好比说两个，另一个为 B一个为 A、。行下一次存取内存的时候当节制器 B 预备进，就在读/写主内存节制 器 A ，亦然反之。” 能够让期待时间缩减 50%两个内存节制器的这种互补“本性。节制器在功能上 是完全一样的双通道 DDR 的两个内存，都是能够零丁编程设定 的而且两个节制器的时序参数。造、 容量、 速度的 DIMM 内存条如许的矫捷性能够让用户利用二条分歧构，的内存尺度来实现 128bit 带宽此时双通道 DDR 简单地调整到最低，IMM 内存条能够靠得住 地配合运作答应分歧密度/期待时间特征的 D。

　　是以频次来权衡的机系统的时钟速度。制着时钟速度晶体振荡器控，上加上电压在石英晶片，的形式震动起来其就以正弦波，片的形变和大小记实下来这一震动可 以通过晶。正弦和谐变化的晶体的震动以电

　　台平，/333/400MHzFSB 别离为 266，B/sec其 总线G，33/DDR 400 就能满足其带宽需求利用单通道的 DDR266/DDR 3，利用双通道 DDR 内存手艺所以在 AMDK7 平台上，见效不多可说是，特尔平台那样较着机能提高并不如英，用集成显示芯片的整合型主板对机能影响最较着的仍是采。把 DDR 内存接口扩展为 128-bit 的芯片组NVIDIA 推出的 nForce 芯片组是第一个，片组上也 利用了这种双通道 DDR 内存手艺随后英特尔在它的 E7500 办事器主板芯，IA 也纷纷响应SiS 和 V，R 内存带宽成倍增加的手艺积极研 发这项可使 DD。是但，种缘由因为种，行内存接口）传输对于浩繁芯 片组厂商来说绝非易事要实现这种双通道 DDR（128 bit 的并。RDRAM 内存完全不 同DDRSDRAM 内存和 ，性而且为串行传输体例后者有着高延时的特，RAM 内存芯片组的难度和成本都不算太高这些特征决定了设 计一款支撑双通道 RD。 内存却有着本身局限性但 DDR SDRAM，延时特征的它本身是低，行传输模式采用的是并，M 工作 频次高于 400MHz 时还有最主要的一点：当 DDRSDRA，会呈现失真问题其信号波形往往，R 内存系统的芯片组带来不小的难度这些都为 设想一款支撑双通道 DD，本也会响应地提高芯片 组的制形成，内存节制手艺 的成长这些要素都限制着这项。一个 64 位的内存节制器通俗的单通道内存系统具有，

　　数据写，总线 倍的速度运转而且可以或许以内部节制。外此，R2 内存均采用 FBGA 封装形式因为 DDR2 尺度划定所有 DD，OP/TSOP-II 封装形式而分歧于目前广 泛使用的 TS，为优良 的电气机能与散热性FBGA 封装能够供给了更，将来频次的成长 供给了坚实的根本为 DDR2 内存的不变工作与。R 的成长过程回忆起 DD，266、DDR333 到今天的双通道 DDR400 手艺从第一代使用到小我 电脑的 DDR200 颠末 DDR，展也走到了手艺的极限第一代 DDR 的发，法提高内存的工作速度曾经很难通过常规 办；最新处置器手艺的成长跟着 Intel ，宽的要求是越来越高前端 总线对内存带，DDR2 内存将是大势所趋具有更高更不变运转频次的 。领会 DDR2 内 存诸多新手艺前DDR2 与 DDR 的区别：在， DDR2 手艺对比的数据先让我们看一组 DDR 和。从上表能够看出1、延迟问题：，心频次下在划一核，频次是 DDR 的两倍DDR2 的现实 工作。 DDR 内存的 4BIT 预读取能力这得益于 DDR2 内存具有两倍于尺度。DDR 一样换句线 和 ，降延同时进行数据传输的根基体例都 采用了在时钟的上升延和下，R 的预读取系统号令数据的能力但 DDR2 具有两倍于 DD。是说也就，Hz 的工作频次下在同样 100M，率为 200MHzDDR 的现实频，以达到 400MHz而 DDR2 则可。作频次的 DDR 和 DDR2 内存中如许也就呈现了另一个问题：在划一工 ，时要慢于前者后者的内存延。 来说举例，2-400 具有不异的延迟DDR200 和 DDR，一倍 的带宽尔后者具有高。际上实，DR400 具有不异的带宽DDR2-400 和 D，3.2GB/s它们都 是 ，心工作频次是 200MHz可是 DDR400 的核，-400 DDR2而

　　曾经相差 66MHz 了)的工作频次 200MHz ，存 其机能有差别而已只不外搭配分歧的内。次再，超频的环境下在 CPU ，PU 超频能力的后腿为了不使内存拖 C，工作频次以便于超频此时能够调低内存的，接口的 Opteron144 很是容易超频例如 AMD 的 Socket 939 ，轻松超上 300MHz不少产 品的外频都能够，步的工作模式 下而此若是在内存同，将高达 DDR600此时内存的等效频次，不成能的这明显是，300MHz 外频为了 成功超上 ，设 置为 DDR 333 或 DDR266我们能够在超频前在主板 BIOS 中把内存，MHz 外频之后在超上 300，00(某些极品内存能够达到)前者也不外 才 DDR 5，0(完 满是一般的尺度频次)尔后者更是只要 DDR40，可见由此，式有助于超 频成功准确设置内存异步模。几乎都支撑内存异步目前的主板芯片组，尔公司英特从

　　 个 64 位的内存节制器而双通道内存系统则有 2，128bit 的内存位宽在双通道模式下具 有 ，内存带宽提高一倍从而在理论上把。等同于一个 128 位内存系统所供给的虽然双 64 位内存系统所供给的带宽带

　　的 875 系列都支撑810 系列到目前较新，片 组当前全数都供给了此功能而威盛公司则从 693 芯。

　　其实是一种内存节制和办理手艺二：双通道内存双通道内存手艺，内存节制器发生感化它 依赖于芯片组的， 内存所供给的带宽增加一倍在理论上可以或许使两条划一规格。什么新手艺它并不是，器和工作站系统中了早就被使用于服 务， 颈问题它才走到了台式机主板手艺的前台只是为领会决台式机日益困顿的内存带宽瓶。年前在几，尔公司英特曾

　　输手艺的 i820 芯片组经推出了支撑双通道内存传， 存形成了一对黄金同伴它与 RDRAM 内，一时成为市场的 最大亮点所阐扬出来的卓绝机能使其，形成了叫好不叫座的环境但出产成本过高的缺陷却，市场合裁减最初 被。对 RDRAM 的支撑因为英特尔曾经放弃了，手艺均是指双通道 DDR 内存手艺所以目 前支流芯片组的双通道内存，是英特尔 865/875 系列支流 双通道内存平台英特尔方面，IDIANforce2 系列AMD 方面则 而 是 NV。决 CPU 总线带双通道内存手艺是解宽

　　线的信号比和反射率阻的大小决定了数据， 反射低可是信噪比也较低终结电阻小则数据线信号；电阻高终结，的信噪比高则数据线，反射也会添加可是 信号。能很是好的婚配内存 模组因而主板上的终结电阻并不，上影响信号质量还会在必然程度。特点 内建合适的终结电阻DDR2 能够按照自已的，最佳的信号波形如许能够包管。但能够降低主板成本利用 DDR2 不，佳的信号质量还获得了最， 不克不及 对比的这是 DDR。DDR II 内存的操纵效率而设定的Post CAS： 它是为了提高 。CAS 操作中在 Post，到 RAS 信号 后面的一个时钟周期CAS 信号（读写/号令）可以或许被插，eLatency） 后 面 保 持 有 效 CAS 号令能够在附加延迟（Additiv。 ） 被 AL （AdditiveLatency）所代替原 来 的 tRCD （ RAS 到 CAS 和 延 迟，以在 0AL 可，1，2，3，进行设置4 中。RAS 信号后面一个时钟周期因为 CAS 信号放在了 ，信号永久也不会发生碰撞冲突因而 ACT 和 CAS 。来说总的，了诸多的新技 术DDR2 采用，R 的诸多不足改善了 DD，、延迟慢能诸多 不足虽然它目前有成本高，的不竭提高和完美但相信跟着手艺，终将获得解这些问题决

　　表示出来流的形式，流就是时钟信号这一变化的电。 具备晶体振荡器而内存本身并不，的北桥 或间接由主板的时钟发生器供给的因而内存工作时的时钟信号是由主板芯片组，定本身的工 作频次也就是说内存无法决，是由主板来决定的其现实工作频次。率能够用工作频次和等效频次两种体例暗示DDR 内存和 DDR2 内 存的频，颗粒现实的工作频次工作频次是内存 ，脉冲的上升和下降 沿都传输数据可是因为 DDR 内存能够在，频次是工作频次的两倍因而传输数据的等效；以四倍于工作频次的速度读/写数据而 DDR2 内存每个时钟可以或许，频次是工作频次的四倍因而 传输数据的等效。频 率 分 别 是 100/133/166/200MHz 例如 DDR200/266/333/400 的 工 作 ，00/266/333/400MHz而 等 效 频 率 分 别 是 2；频次别离是 100/133/166/200MHzDDR2400/533/667/800 的工作，533/667/800MHz而等效频次别离是 400/。式包含多种意义内存异步工作模，外频不分歧时都能够称为内存异步工作模式在广义上凡是内存工作频次与 CPU 的。先首，出此刻晚期的主板芯片组中最早的 内存异步工作模式， 33MHz 的模式下(留意只是简单相差 33MHz)能够使内存工作在比 CPU 外频高 33MHz 或者低，或者使老内存继续阐扬余热从而能够提高系统内存机能。次其，CPU 不超频)下在一般的工作模式(，支 持内存异步工作模式目前不少主板芯片组也，910GL 芯片组例如 Intel，即 133MHz 的 CPU 外频仅仅只支撑 533MHz FSB ，作频次为 200MHz 的 DDR 400 一般工作(留意此时其 CPU 外频 133MHz 与 DDR40但却能够搭配工作频次为 133MHz 的 DDR266、 工作频次为 166MHz 的 DDR 333 和工0