臧天朔出狱2月27日消息，当地时间上周四，美国商务部副部长艾伦·埃斯特维兹 (Alan Estevez)在美国战略与国际问题研究中心（CSIS）组织的“韩美经济安全论坛”上表示，在美国对华半导体出口管制新规出台之后，将禁止某些半导体技术进入中国大陆，虽然也会为在中国生大陆设厂的非中国大陆芯片制造商（三星、SK海力士等）设定配额，但将会对他们在中国大陆晶圆厂的发展设置上限。

　　2022年10月7日，美国出台了新的对华半导体出口管制政策，限制了位于中国大陆的晶圆制造厂商获取16/14nm及以下先进逻辑制程芯片、128层及以上NAND闪存芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片所需的制造设备的能力，除非获得美国商务部的许可。这其中就包括了三星、SK海力士等外资企业在中国大陆的晶圆厂。

　　虽然在2022年10月11日，三星电子与SK海力士均获得了美国商务部的豁免许可，允许两家企业可以在未来1年内无需办理任何额外的手续即可获得美系半导体设备的供应，这也使得他们位于中国大陆的晶圆厂的生产都将暂时不会受到禁令的影响。但是，一年到期之后，他们是否还能继续获得豁免许可呢？

　　对此，埃斯特维兹并未正面回应，他表示，“我们正在与这些（韩国）公司合作前进。”

　　被问及豁免结束后会发生什么时，埃斯特维兹表示，“可能会对他们在中国发展的水平设置上限。”

　　当被要求进一步澄清时，埃斯特维兹说，会依据相关公司的NAND闪存芯片堆叠层数，选定“某个范围”作为上限。但是这个限制范围“也将取决于中国人在做什么”。

　　埃斯特维兹表示，美国政府正与韩国芯片制造商进行深入对话。他说：“我们会与他们合作，确保我们不会伤害我们盟友的公司。与此同时，我们将限制中国，防止他们发展对我们构成共同威胁的能力。”

　　“我们身处的世界里，技术是军事力量的驱动力。半导体是这些技术的核心”，埃斯特维兹说，“需要阻止来自对手的威胁。否则，威胁将指向我们。”

　　资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。截至目前，西安厂两期项目总投资已高达270亿美元。数据显示，三星西安工厂月产能将达到26.5万张12英寸晶圆，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%，占据超过10%全球NAND闪存芯片产能。2022年，三星半导体西安工厂产值将突破1000亿元人民币。

　　SK海力士目前在中国大陆无锡、大连（从英特尔手中收购而来）拥有晶圆厂。截止至2020年，SK海力士已累计在中国投资超过200亿美元，在无锡拥有4000多名员工，并于2019年完成第二工厂C2F的建设。随着C2F项目的持续推进，无锡工厂将承担SK海力士DRAM芯片全球生产总量近一半的份额。此外，在2021年SK海力士还将其位于韩国青州的8英寸晶圆代工厂M8迁至了无锡，预计2022年全部投产后将月产11.5万片8吋晶圆，高于原来韩国M8工厂的10万片月产能。

　　有数据显示，韩国芯片厂商将大约 60% 的芯片出口到了中国大陆，并且韩国芯片制造商在中国工厂的产能也远高于其他国家和地区的芯片制造商。总体而言，韩国芯片制造商对中国市场的依赖程度要远大于其他国家和地区。数据显示，2022 年第一季度，三星集团对中国大陆的 112 亿美元出口额中约有 30% 来自三星电子的半导体销售。

　　或许正是由于韩国半导体产业对于中国市场的依赖，到目前为止，韩国政府在美国拜登政府组建 Chip 4 倡议方面一直持谨慎态度，表示不希望刺激到中国，不希望搞供应链围堵。

　　对于此次美国商务部副部长艾伦·埃斯特维兹的关于韩国企业在华晶圆厂限制的表态，据韩联社报道，韩国政府于上周五表示，美韩之间尚未就技术水平上限进行具体讨论。

　　韩国工业部门在一份声明中表示，“韩美已达成共识，韩国芯片制造商当前的业务和未来的投资，不应受到干扰。”声明中还表示，韩国计划与美国讨论延长芯片制造设备进口至中国的豁免期限。

　　从美国商务部副部长艾伦·埃斯特维兹最新的表态来看，美国政府此前对于三星电子与SK海力士在华晶圆厂的1年豁免许可到期之后，可能将不再继续无条件豁免，而是将会对其技术发展进行限制。至于是否会与去年10月出台的新规要求（限制获取128层及以上NAND闪存芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片所需的制造设备）进行对齐，还是说可能会适当放宽，目前尚不清楚。

　　但是，从三星和SK海力士目前在中国大陆晶圆厂最先进的技术制程来看，都超出了美国新规的限制要求。目前三星西安晶圆厂最先进的产品为128层3D NAND，SK海力士无锡晶圆厂最先进的产品为17nm DRAM。

　　显然，如果在豁免到期之后，严格按照美国新规的标准来执行的话，那么三星和SK海力士在中国大陆的晶圆厂的现有产能的运营将会受到很大影响。

　　不过，从韩国政府的表态来看，应该还是希望美国能够延长对于三星和SK海力士在中国大陆晶圆厂的豁免期。即使限制，也应该不影响“当前的业务和未来的投资”。

　　所以，如果以正常的预期来看，美国的对于三星和SK海力士在中国大陆的晶圆厂的限制上限，可能将会放宽到17nm DRAM和128层3D NAND，以避免对三星和SK海力士在中国大陆的晶圆厂现有产能的影响。

　　如果更乐观一点的话，那么甚至有可能放宽到更先进的一代产品，给予一定的升级空间。比如3D NAND可以放宽到176层，毕竟去年美光已经量产了更先进的232层3D NAND。DRAM可能会放宽到1y-nm（相当于14~16nm，1x-nm制程相当于16~19nm）制程，要知道美光在2021年就推出了1α工艺（大致对应于10-12nm工艺）DRAM，2022年底美光又宣布量产更先进的1β 制程的DRAM。而1y-nm DRMA的下一阶段1z-nm（相当于12~14nm） DRAM的生产，有些厂商（比如三星）就开始用上了EUV工艺。SK海力士则是从1a DRAM阶段才开始导入EUV。所以，对于SK海力士的DRAM制造来说，最宽的限制估计也只能是到1z-nm了。毕竟去年就有消息称，SK海力士希望将EUV光刻机引入其无锡工厂，但是遭到了美国方面的拒绝。

　　当然，如果悲观来看，美国直接将对三星和SK海力士在中国大陆的晶圆厂的限制与去年10月出台的新规限制对齐，那么三星西安晶圆厂将无法继续生产128层3D NAND，只能生产低一级的96层3D NAND；SK海力士无锡厂17nm DRAM将无法生产，只能生产上一代的20nm DRAM。虽然这样三星和SK海力士大陆工厂原有的一些旧产能还能继续运营，但是更先进的产品将无法继续生产，更不用提未来对产线的进一步升级了。这也意味着三星和SK海力士在中国大陆晶圆厂的市场竞争力将会持续下滑，未来的发展前景将被斩断。三星和SK海力士未来也将不可能继续扩大对其大陆晶圆厂的投资，甚至可能会将部分产能转出。

　　对于这种最悲观的预期，SK海力士首席营销官Kevin Noh曾在去年第三季度财报电话会议上表示：“作为应急计划，我们正在考虑出售晶圆厂、出售设备或将设备转移到韩国。”Kevin Noh强调，“这是一个应急计划， 我们希望(继续)在不面对这种情况的情况下运营。”随后，SK海力士官方发布声明进一步解释称，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，“本公司澄清并未研究过与此相关的具体计划。”

　　不过，从前面韩国政府的表态来看，这种最悲观的预期发生的可能性相对较低。毕竟这可能将会直接损害到美国与韩国之间的盟友关系，同时也不利于美国主导的Chip4联盟的继续推进。

　　另外值得注意的是，美国商务部副部长艾伦·埃斯特维兹有提到对于外资在中国大陆晶圆厂的“限制范围”，“也将取决于中国人在做什么”。言下之意就是，如果中国晶圆厂靠国产化产线（或不含美日荷的产线）突破了限制，那么美国对于外资在中国大陆晶圆厂的“限制范围”也将会进一步放松。因此，对于三星、SK海力士来说，如果想要降低美国限制对于其未来的影响，那么应该加强对于包括中国大陆半导体设备厂商在内的非美日荷设备厂商的支持力度，降低其产线对于美日荷设备的依赖程度。

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