伏魔战记38v电脑内存，是一种用于存储信息以供计算机或相关计算机硬件和数字电子设备立即使用的设备或系统。术语内存通常与术语主存储器或主存储器同义。记忆的古老同义词是store。

　　与较慢但提供更高容量的存储相比，计算机内存以高速运行。如果需要，可以将计算机内存中的内容转移到存储中；执行此操作的常用方法是通过称为虚拟内存内存管理技术。

　　现代存储器被实现为半导体存储器，存储数据内的存储器单元从内置MOS晶体管和其他部件的上集成电路。有两种主要的半导体存储器，易失性和非易失性。非易失性存储器的示例是闪存和ROM、PROM、EPROM和EEPROM存储器。易失性存储器的例子是动态随机存取存储器(DRAM)用于主存储，静态随机存取存储器(SRAM)用于CPU缓存。

　　大多数半导体存储器被组织成每个存储一位（0或1）的存储单元。闪存组织包括每个存储单元一位和每个单元能够存储多个位的多级单元。存储单元被分组为固定字长的字，例如，1、2、4、8、16、32、64或128位。每个字都可以通过N位的二进制地址访问，从而可以在内存中存储2N个字。

　　易失性存储器是需要电力来维持存储信息的计算机存储器。大多数现代半导体易失性存储器是静态RAM(SRAM)或动态RAM(DRAM)。只要连接电源，SRAM就会保留其内容，并且接口更简单，但每位使用六个晶体管。动态RAM的接口和控制更加复杂，需要定期刷新周期以防止丢失其内容，但每位只使用一个晶体管和一个电容器，使其能够达到更高的密度和更便宜的每位成本。

　　SRAM不适合用于DRAM占主导地位的桌面系统内存，但用于它们的高速缓存。SRAM在小型嵌入式系统中很常见，它可能只需要几十KB或更少。试图与SRAM和DRAM竞争或取代的易失性存储器技术包括Z-RAM和A-RAM。

　　非易失性存储器是计算机存储器，即使在未通电的情况下也能保留存储的信息。非易失性存储器的例子包括只读存储器（见ROM）、闪存、大多数类型的磁性计算机存储设备（例如硬盘驱动器、软盘和磁带）、光盘和早期的计算机存储方法，如纸张胶带和穿孔卡片。

　　第三类存储器是“半易失性”。该术语用于描述在断电后具有一定非易失性持续时间有限但数据最终会丢失的存储器。使用半易失性存储器的典型目标是提供高性能/耐用性等。与易失性存储器相关联，同时提供真正的非易失性存储器的一些好处。

　　例如，一些非易失性存储器类型可能会磨损，其中“磨损”的单元增加了易失性，但在其他方面继续工作。因此可以将频繁写入的数据位置定向到使用磨损的电路。只要位置在某个已知保留时间内更新，数据就会保持有效。如果保留时间在没有更新的情况下“到期”，则该值将被复制到具有较长保留时间的磨损较少的电路中。首先写入磨损区域允许高写入速率，同时避免未磨损电路的磨损。

　　作为第二个例子，可以通过构建大型单元使STT-RAM成为非易失性的，但每比特成本和写入功率会上升，而写入速度会下降。使用小型单元可提高成本、功率和速度，但会导致半易失性行为。在某些应用中，可以管理增加的易失性以提供非易失性存储器的许多好处，例如通过断电但在数据丢失之前强制唤醒；或者，如果断电时间超过非易失性阈值，则缓存只读数据并丢弃缓存的数据。

　　术语半易失性也用于描述由其他存储器类型构建的半易失性行为。例如，可以组合易失性和非易失性存储器，其中外部信号将数据从易失性存储器复制到非易失性存储器，但是如果在没有复制的情况下断电，则数据丢失。或者，电池供电的易失性存储器，如果外部电源断电，则在某个已知时间段内，电池可以继续为易失性存储器供电，但如果电源关闭时间过长，电池电量将耗尽并且数据会丢失。

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