铁血南唐这两种设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构，预计将于2026年生产概念验证测试芯片，并将提供比当前普通DRAM模块10倍的容量。

　　基于NEO的3D X-DRAM技术，新设计的内存单元能够在单一模块上容纳512Gb（64GB）的容量，这比目前市面上任何模块至少多出10倍。

　　在NEO的测试模拟中，这些单元的读写速度达到10纳秒，保留时间超过9分钟，这两项性能指标均处于当前DRAM能力的前沿。

　　新设计采用了基于氧化铟镓锌（IGZO）的材料，1T1C和3T0C单元可以像3D NAND一样构建，采用堆叠设计，从而提高容量和吞吐量，同时保持节能状态。

　　NEO Semiconductor的首席执行官Andy Hsu表示：“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正在重新定义内存技术的可能性。这项创新突破了当今DRAM的扩展限制，使NEO成为下一代内存的领导者。”