波器的输出纹波为降低整流滤，量CI必需选的合适输入滤波电容器的容。电容器容量 (μF)的比例系数为k令每单元输出功率(W)所需输入滤波，85～265V时当交换电压 u=，～3)μF／W应取k=(2；0V(1±15％)时当交换电压u=23，1μF／W应取k=。选择方式详见附 表l输入滤波电容器容量的，源的输出功率Po为开关电。

　　恢复二极管FRD)形成的VDz、R、C、VD型钳位电路(4)由稳压管(VDZ)、阻容接收元件和堵塞二极管(快，)图所示如(d。

　　外此，联的堵塞二极管VD的影响还须考虑与钳位二极管相串。复或超快恢复二极管VD一般采用快恢，时间(trr)很短其特征是反向恢复。程中还具有着正向恢复时间(tfr)可是VDl在从反向截止到正领导通过，V的电压余量还需留出20。

　　管(超陕恢复二极管UF4005) 构成的TVS、VD型钳位电路(1)操纵瞬态电压制止器TVS(P6KE200) 和堵塞二极，)图所示如(a。表一次绕组、二次绕组和偏置绕组图中的Np、NS和NB别离代。组NF来取代偏置绕组NB但也有的开关电源用反馈绕。

　　器及钳位庇护电路的设想本文引见输入整流滤波，的选择、漏极钳位庇护电路的设想等内容包罗输入整流桥的选择、输入滤波电容器，且附实例计较讲解图文并茂。

　　关电源而言对反激式开，FET)由导通变成截止时每当功率开关管(MOS，会发生尖峰电压和感应电压在开关电源的一次绕组上就。在漏感(即漏磁发生的自感)而构成的此中的尖峰电压是因为高频 变压器存，OR叠加在MOSFET的漏极上它与直流高压UI和感应电压U，MOSFET很容易损坏。此为，极钳位庇护电路必需在添加 漏，行钳位或者接收对尖峰电压进。

　　管形成的R、C、TVS、VD型钳位电路(3)由阻容接收元件、TVS和堵塞二极，)图所示如(c。

　　极管构成的R、C、VD型钳位电路(2)操纵阻容接收元件和堵塞二，)图所示如(b。

　　申明举例，是85～132V时当交换输入电压范畴，=132Vumax，BR=233．3V由式(1)计较出U，V的成品整流桥可选耐压400。输入交换电压对于宽范 围，=265Vumax，=468．4V同理求得UBR，V的成品整流桥应选耐压600。指出需要，流管来形成整流桥假如用4只硅整，值还应进一步提高整流管 的耐压。1N5408(3A／1000V)型塑封整流管辟如可选1N4007(1A／1000V)、。管子的价钱低廉这是由于此类，宁高勿低”的准绳且按 照耐压值“，平安性与靠得住机能提高整流桥的。

　　入滤波电容的容量是开关电源的一个主要参数2)精确计较输入滤波电容器容量的方式输。选得过低CI值，n值大大降低会使UImi，压UR却升 高而输入脉动电。取得过高但CI值，容器成本会添加电，降低脉动电压的结果并不较着并且对于提高UImin值和。I精确值的方式下面引见计较C。

　　)的庇护结果最佳上述方案中以(c，快、可承受瞬态高能量脉冲之长处它能充实阐扬TVS响应速度极，RC接收回路而且还添加了。击穿电压值(U1nA)离散性较大鉴于压敏电阻器(VSR) 的标称，TVS慢良多响应速度也比，它形成漏极钳位庇护电路在开关电源中一般不消。

　　值分0．5～40A等多种规格硅整流桥的最大整流电流平均，～1000V等多种规格最高反向工作电压有50。间接焊在印刷板上小功率硅整流桥可，桥则要用螺钉固定大、中功率硅整流，合适的散热器而且需安装。

　　最小值为umin设交换电压u的。流和CI滤波u颠末桥式整，输入电压波形如图2所示在u=umin环境下的。o=POM该图是在P，C=3ms、η=80％的环境下绘出的f=50Hz、整流 桥的导通时间t。可见由图，叠加一个幅度为UR的一次侧脉动电压在直流高压的最小值UImin上还， 电过程中构成的这是CI在充放。I的精确值欲获得C，进行计较可按下式：

　　约比UB高40％这表白UBM大。应电压UOR也起到钳位感化为防止钳位二极管对一次侧感，位电压应按下式计较所选用的TVS钳：

　　要素之后考虑上述，大漏一源极电压的经验公式应为计较TOPSwitch一 最：

　　中式，源的输出功率PO为开关电，源效率η为电，输入电压的最小值umin为交换，电源的功率因数cosφ为开关，0．5～0．7答应cosφ=。过的不是正弦波电流因为整 流桥现实通，流(拜见图1)而是窄脉冲电，平均整流电流I因而整流桥的d

　　M、最大漏极电压UDmax、漏一源击穿电压U(BR)DS这6 个电压参数的电位分布环境下面阐发输入直流电压的最大值UImax、一次绕组的感应电压UOR、钳位电压UB与UB，个定量的概念使读者能有一。—XX系列单片开关电源对于TOPSwitch，压 U(BR)DS≥700V其功率开关管的漏一源击穿电，值700V现取下限。135V(典型值)感应电压UOR=。电压UB只需取135V本来钳位二极管的钳位，漏感形成的尖峰电压接收掉即可将叠加在UOR 上由，却否则现实。作在常温、小电流环境下的数值手册中给出UB参数值仅暗示工。制器TVS)还 具有正向温度系数现实上钳位二极管(即瞬态电压制，钳位电压UBM要远高于UB它在高温、大电流前提下的。表白尝试，下述关系二者具有：

　　用由整流管形成的整流桥隔离式开关电源一般采，用成品整流桥亦可间接选，式整流完成桥。器简称硅整流桥全波桥式整流，流管接成桥路形式它是将四只硅整，而成的半导体器件再 用塑料封装。整流管的参数分歧性好等长处它具有体积小、利用便利、各，电源的整流电路可普遍用于开关。4个引出端硅整流桥有，、直流输出端各两个此中交换输 入端。

　　管的一次导通过程(2)整流二极，“选通脉冲”可视为一个，流电网的频次(50Hz)其脉冲反复频次就等于交。

　　00kHz以下的传导噪声(3)为降低开关电源中5，与两只快恢复二极管(如FR106)构成整流桥有时用两只通俗硅整流管(例如1N4007) ，时间trr≈250nsFRl06的反向恢复。

　　向峰值电压URM(V)整流桥的次要参数有反，UF(V)正向压降，流Id(A)平均整流电，流IFSM(A)正向峰值浪涌电， IR(μA)最大反向漏电流。URR应满足下式要求整流桥的反向击穿电压：

　　整流后变成脉动直流电压u150Hz交换电压颠末全波，容获得直流高压U1再通过输入滤波电。环境下在抱负，导通范畴是从 0°～180°)整流桥的导通角本应为180°(，容器C的感化但因为滤波电，电压处的很短时间内仅在接近交换峰值，过整流桥对C充电才有输入电流流经。半周期为 10ms50Hz交换电的，间tC≈3ms整流桥的导通时，通范畴是36°～90°)其导通角仅为54°(导。此因，的是窄脉冲电流整流桥现实通过。 理如图1(a)所示桥式整流滤波电路的原，别离如图l(b)和(c)所示整流滤波电压及整流电流的波形。

　　指出需要，快恢复或超快恢复二极管堵塞二极管一般可采用。的玻璃钝化整流管1N4005GP但有时也特地选择反向恢复时间较长，量可以或许得 到恢复其目标是使漏感能，电源效率以提高。于快恢复二极管与通俗硅整流管之间玻璃钝化整流管的反向恢复时间介，005来取代lN4005GP但不得用通俗硅整流管1N4。

　　电流为IRMS设输入无效值，效值电流为IBR整流桥额定的有，≥2IRMS该当使IBR。S的公式如下计较IRM：