) 芯片使能端脚14(EN，VCC可使能芯片该脚开路或上拉到；外另，定失效时在电路锁，端来使器件复位可通过触发EN。

　　OSFET时在选择高边M，通阻抗同样主要其门电荷和导。将影响转换速度并进而影响功耗由于高边MOSFET的门电荷。此因，的门电荷和导通阻抗该当分析考虑器件。际上实，流输出使用对于大电，开关频次较高若是电路的，两个MOSFET来进行设想高边MOSFET也能够利用。FDS6694作为高边MOSFET图2电路中利用的是飞兆公司的一个。

　　工作在两种工作模式FAN5240能够，固定频次PWM模式此中第一种模式为，载的可变频次延迟模式第二种模式是依赖于负。滤波电感的峰值电流时当负载电流低于电路中，变频次延迟模式电路将工作在可；的电流恢复当前而当滤波电感，到PWM工作模式电路又从头恢复。时改善电路的转换频次并耽误电池的利用时间通过PWM模式到延迟模式的转换能够在轻载。

　　电压参考和一个特殊的分析弥补电路FAN5240芯片内部具有细密，声和主电压动态调理特征因此可供给极好的静态噪。外此，采用特殊电路设想芯片内部调理器，路以使其效率达到最佳因此可以或许均衡两相电。

　　ND) 模仿地脚15(AG，的信号参考地端该端是整个器件，以此脚零电平为参考电路中的所有电压均。

　　) 电源好标记输出脚19(PGOOD，825mV以下时当输出主电压在，出低电平该脚输；到875mV以上后当输出主电压上升，时间完全由DELAY与地间的电容决定PGOOD端由低电平到高电平的延迟。

　　6脚，SNS222(I， 电流检测输入ISNSl)，T上或电流检测电阻上的反馈电流用于检测电路上低端MOSFE。

　　可对电路的输出电压进行监控FAN5240在启动过程中。GOOD引脚该芯片带有P，且输出电压一般后当电路软启动完成，备好信号表白整个电路一般工作PGOOD脚将发出一个电源准，D引脚外一个外接电容器来决定其软启动延迟时间可由PG00。

　　T应具有较低的门电荷(4)所选MOSFE，工作形态时出格在高频，如斯更是。

　　) 电池电压输入脚21(VIN，电压瞬变时的快速弥补用于片内振荡器输入。

　　) 软启动引脚脚20(SS，容可对软启动速度进行编程设置通过该脚和地之间的一个外接电。

　　DC转换器比拟与以往的DC/，能够通过器件上的5位DAC进行编程设置FAN5240的次要特点是其输出电压，分压器来设置而不是由电阻。此因，压精度高、输出电流大等特点外FAN5240除具有输出电，转换器所具有的其它全数功能和特点它还具有以往电阻分压式DC/DC，新型低压大电因此可用来为流

　　电子产物跟着现代，干扰及功耗方面的要求不竭提超出跨越格是便携式电子产物在噪声、，焦点器件的供电电压要求越来越低很多新型、MCU和DSP等系统，多的接口和外设数据但为了可以或许处置更。则相对增大其电流要求。07年到20，O.95V时供给高达200A的电流PC机将要求DC/DC转换器能在。此为，成的分布式电压凋节模块(VRM)飞兆半导体公司开辟出以多个模块组，高达每相40A的电流此中每个模块都能供给，过80％且效率超。弥补式单输出PWM节制器集成电路本文引见的主电源设想推出的不异步。换器来对电路的输出电压进行编程设置该芯片可通过其本身照顾的5位数模转。范畴为O.925～2.0v其主PWM输出电压的设置，行过程中进行设置且可在电路的运。时同，率很高的效，得90％以上的转换效率可在较宽的负载前提下获，轻载时即便在，％以上的转换效率也能够达到80。此因，

　　4脚，DRV224(H，道的高边MOSFET驱动输入HDRVl) 别离为两个通，边N沟道MOSFET的门极应别离毗连到外部两通道的高。时同，T门极之间的连线该端与MOSFE，通道的开关电压输出端口SWl) 别离为两个。T管的源极和低边MOSFET管漏极应别离接到两个通道的高边MOSFE。

　　构成的一个CPU主电源电路图2所示是用FAN5240。2中图，C11取0.1F时当脚SS外的电容，时间为5.4ms电路的软启动延迟；容C10的值为22 nF时而当DELAY与地之间的电，电平的延迟时间大约为12ms其PG00D端由低电平到高。各元器件的具体参数表2所列是电路中。面下，器件的具体选择做具体申明就该电路的几个次要外围元。

　　ID0) 电压识别码输入引脚脚7～1l (VID4～V，输入信号来对输出电压进行编程可通过TTL电平或集电极开路。

　　) 限流门限设置端脚13(ILIM，的一个电阻来设置过流门限设想时可通过该端和地端。

　　的漏源导通阻抗(1)具有较低，应至多小于10m并且该当越低越好所选MOSFET的RDS（ON）；

　　两个输出电感该电路利用了，别分布在阿个通道上并且两个输出电感分。是降低输出电压纹波输出电感的次要感化。会添加系统成本但电感较大不单，贵的线路板空间并且也会添加宝。外另，关工作频次、输入电压和输出电压输出电感的选择还要考虑电路的开。示电路图2所，z)、输人电压为20V、输出电压为1.5v时当工作频次为600kHz(每通道300kH，约为1.6H其输出电感大。

　　SE、MOSFET的导通电阻RDS（ON）和电路的限流门限值等要素图2电路中限流电阻R4的设定应同时考虑电路中的电流检测电阻RSEN。值设定在大约42A的程度上如过但愿将电路的限流门限，检测电阻为1k同时选择的电流，么那，ET导通电阻RSD（ON）对于每通道3m的MOSF，取值应为56k限流电阻R4的。算公式如下其具体的计。

　　制器共有28个引脚FAN5240控，l所示如图。SSP28两种封装形式具有QSOP28和T，的引脚功能如下FAN5240。

　　供给低电压、大电流输出的2-相单输出电源办理芯片FAN5240是一个可为笔记本电脑中新型处置器。的外部毗连通过很少，进行节制以驱动外部N沟道功率MOSFFTFAN5240便可对细密可编程同步转换器。ID0～VID4等5个引脚的分歧逻辑组合进行设置其输出电压可在O.925～2.000V之间通过V。25～1.300V之间时当输出电压被设置在0.9，为25mV其设置步长；300～2.000V之间时而当输出电压被设置在1.，为50mV其设置步长。法如表l所列具体的设置方。

　　效防止电路中低端MOSFET的输出电压跨越设定值FAN5240内部的过压庇护(OVP)电路可有，MOSFET上的电压降来对转换器的负载环境实施监控而PWM节制器中的过流庇护电路则可通过交替检测低端。外部电阻来设置过流门限可通过。细密的过流监测若是需要愈加，外部电流检测电阻来实现能够通过选择高精度的。

　　OSFET对于低边M，导通阻抗RDS（ON）选择时起首该当考虑的是，边占空比力小缘由是它的高，SFET的功耗影响较大而导通阻抗对低边MO，C/DC转换效率将影响电路的D。2电路对于图，出的电流较大因为需要其输，用了两个低边MOSFFT因而电路中的每个通道都使。飞兆公司的FDS6676S型MOSFET管本设想中的S2～S3和S5～S6选择的是，阻抗RDS（ON）为6m该MOSFET管的导通。

　　17脚，RE+) 主电压输出检测端18(VCORED．VCO，实现电源好、灾压和过压庇护的监控与调理可通过差分检测这两个端口的输出电压来。一个电阻来设定输出电压的检测压降设想时可在VCORE+端外串接。

　　l脚，DRYV227(L，的低边MOSFET驱动输入LDRYl)别离为两个通道，MOSFET的门极以进行同步操作应别离毗连到外部两通道低边N沟道。时同，ET门极之间的连线该端与 MOSF，) 功率地PGNDl，OSFET的源极别离接两个低端M。

　　预备好或过流庇护延迟设定端脚16(DELAY) 电源，定电源预备好或过电流关断延迟时间在该脚和地之间接一个电容可用来设。

　　) 器件电源端脚28(VCC，到4.6V以上时当该脚电压上升，动操作器件启；4.3V以下时当该脚电压降到，关断器件。

　　) 强制PWM模式脚12(FPWM，高电日常平凡该脚为，入同步操作模式芯片将强制进；低电日常平凡该脚为，入延迟模式器件将进。