美式英语学习IT之家 7 月 7 日消息，来自东京工业大学的科研团队近日研发出可堆叠内存，

　　科研团队将其成为 BBCube，最大的亮点灾区去除了传统内存的逐层焊接晶体布局。

　　科研团队在 2023 年 6 月举行的 VLSI IEEE Symposium 2023 大会上得到了同行论证，不仅提出了这一新概念，还详细描述了生产这种存储器的技术流程。

　　IT之家注：高带宽存储器（HBM）是三星电子、超微半导体和 SK 海力士发起的一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，像是图形处理器、网络交换及转发设备等。

　　生产 HBM 内存的现有方法限制了其功能，堆叠中的每一层（DRAM 芯片）不能制造得比特定规格更薄，并且层之间的球接触（ball contacts）数量不能增加超过特定值，否则存在机械损坏和短路的风险。

　　科研团队提议在 DRAM 封装过程中去除球接触，可以让芯片变得更薄，降低每一层的机械应力，缩短 TSV 的过孔线。