消息称英伟达已试水三星 3nm GAA 工艺最快 2025 年量产 |
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作者:佚名 文章来源:本站原创 点击数: 更新时间:2023/9/21 4:29:27 | 【字体:小 大】 |
碓冰拓海bgIT之家9 月 18 日消息,根据行业人士@手机晶片达人 爆料,英伟达已经跟三星就3nm GAA 工艺制程进行了接洽,如果一切顺利则预定在2025 年进行量产。
Hardwaretimes 此前也曾有过报道,下一代英伟达旗舰显卡 RTX 5090将使用 3nm 工艺,预计将在明年年底推出。
IT之家曾报道,微星此前在台北 Computex 电脑展上也一并展示了下一代英伟达 RTX 旗舰显卡的散热设计。
由图可见,微星使用了动态双金属鳍片 (Dynamic Bimetallic Fin),六条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片,进一步增强散热,而显存区域也有对应的铜片,这说明不出意外的话下一代显卡将针对散热进行着重设计。
结合当下所曝光的信息,结合如此散热条件,RTX 5090 的原始功耗和发热应该会给人留下深刻的印象。
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