梦幻蛋糕屋窗口化近日，统计机构DRAMeXchange统计数据显示，由于一些原因，2019年平均DRAM价格将同比下降15％至20％。此前，DRAM内存和NAND闪存芯片的价格已经连续增长了9个季度，高昂的价格也让许多消费者非常不满。

　　DRAMeXchange称，明年智能手机销量涨势不再、服务器出货量存在不确定因素，英特尔CPU缺货也可能影响电脑的出货量，有鉴于此，DRAM制造商预计供应过剩的可能性很高，而另一方面，明年DRAM产量预计同比提高22%。

　　这一趋势也将影响NAND闪存芯片，其今年第三季度价格已经下降10％，预计第四季度将再下降10-15％。由于3D NAND生产能力的增加，企业SSD市场明年竞争更加激烈，2019年NAND闪存芯片价格下降幅度将在25-30％左右。

　　不过三星已经对于可能存在的产能过剩做出了预警，为了阻止内存价格下滑将采取措施，日媒报道称三星明年的资本支出将下滑8%，其中DRAM内存投资大砍20%。

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　　尽管硬盘面临着闪存芯片的挑战，但专家预期未来十年内，在越来越多的消费电子产品中，硬盘将仍然是一个关键的储存数据组件。 据市场调研机构In-Stat最新研究显示，在全球硬盘市场，去年的发货量为3.8亿块，到2010年它的发货量将攀升到7.48亿块。消费电子产品持续快速的增长将进一步推动硬盘的应用。 调研公司分析师斯蒂芬妮说：“硬盘的尺寸设计得越来越小，储存容量越来越高，它将能够配备在许多便携式消费电子产品中。但储存产品解决方案的竞争仍然存在，如果闪存提高了储存容量，将继续威胁硬盘市场的销售。” 但她表示，在几十GB储存容量产品的竞争中，闪存昂贵的价格将抑制它的销售，硬盘将满足高储存容量的需求，更有效的服务于便携式多媒体装置中。

　　现在很多汽车电子应用都需要极快速、极可靠、极长工作寿命的存储器，同时对容量的要求又不高，F-RAM是最合适的选择，因为EEPROM太慢，MRAM尽管也很快，但它极易受到磁性干扰，因此它不可能用在工作环境非常恶劣的汽车里。 例如，气囊系统要求在极短时间里将汽车物理位置信息写入黑匣子，万一发生交通事故，精确的位置信息可以帮助事主或保险公司更快地厘清责任和结束争吵。如采用EEPROM，事故发生时记录下来的物理位置信息很可能只是事故发生前几秒钟的位置，这对事故赔偿谈判是非常不利的。因此，现在几乎所有的高档汽车气囊系统都采用F-RAM，因为无论在任何环境下，它的高可靠性都能确保它精确地记录下汽车每分每秒的准确位置。 汽车

　　今天仔细读了一下内存管理的代码，然后还有看了堆栈的相关知识，把以前不太明白的一些东西想通了，写下来，方便以后查看，也想大家看了能指出哪里不对，然后修改。 首先，先看一下stm32的存储器结构。 Flash，SRAM寄存器和输入输出端口被组织在同一个4GB的线性地址空间内。可访问的存储器空间被分成8个主要块，每个块为512MB。 FLASH存储下载的程序。 SRAM是存储运行程序中的数据。 所以，只要你不外扩存储器，写完的程序中的所有东西也就会出现在这两个存储器中。 这是一个前提！ 堆栈的认知 1. STM32中的堆栈。 这个我产生过混淆，导致了很多逻辑上的混乱。首先要说明的是单片机

　　管理和堆栈相关的认知 /

　　随着小米（MIUI）、华为（EMUI）、魅族（Flyme）、OPPO（Color OS）等安卓厂商自制ROM系统的日益完善，第三方ROM刷机热潮退去，Iuni rom/乐蛙OS/腾讯tita/点心rom/深度rom/乐众ROM/百度云OS等一大批第三方安卓ROM相继宣布离开。现在，腾讯TencentOS也宣布将于2017年6月28日停止服务，同时建议用户尽快保存数据信息。 第三方ROM退役！TencentOS于6月28日停止服务 TencentOS简称TOS，是腾讯基于Android定制开发的一款ROM系统，2015年开放测试，2016年推出腾讯TencentOS 2.0。相比于百度云OS的三年（2012年6月4日~201

　　一、啥是内存对齐？为啥要内存对齐？ 现代计算机中内存空间都是按照byte划分的，从理论上讲似乎对任何类型的变量的访问都可以从任何地址开始，但实际情况是在访问特定类型变量的时候经常在特定的内存地址访问，这就是对齐。 字节对齐的原因大致是如下两条： 1、平台原因(移植原因)：不是所有的硬件平台都能访问任意地址上的任意数据的；某些硬件平台只能在某些地址处取某些特定类型的数据，否则抛出硬件异常。 2、性能原因：数据结构(尤其是栈)应该尽可能地在自然边界上对齐。原因在于，为了访问未对齐的内存，处理器需要作两次内存访问；而对齐的内存访问仅需要一次访问。 二、对齐规则

　　1建立KEIL开发环境 Keil版本：μVision V4.71.2.0； 调试器：JLINKV8； 调试软件：J-Link ARM V4.72。 2新建工程 新建工程如图1，并在硬盘建立文件夹结构如图2，保存后选择CPU类型如图3所示，选择S3C2440A。 完成后，设置工程结构。 将S3C2440.S移动到Core文件夹下，并添加到工程Core组下。 新建app.c文件，存储到App文件夹下，并添加到工程App组下。 组管理设置完成后，如下. 3设置工程属性 设置内部4KRAM分配，4KRAM 2k作为IROM，2K作为IRAM，查看S3C2440存储器映射，内部RAM起始地址为0X400000

　　操作系统：rt-thread 文件系统：Fat16 硬件平台：stm32f103c8 描述：利用mcu的ram虚拟一个U盘，用于存储即时小数据，通过usb以u盘的方式供上位机读取。 一：硬盘篇 1、硬盘物理结构： 盘片(platter)：硬盘由很多盘片组成，每个盘片的每个面都有一个读写磁头（heads）。N个盘片，就有2N个面，对应2N个磁头，从0、1、2 开始编号； 磁道：同一个盘片不同半径的同心圆为磁道（注意，是指圆周线或圆环）； 柱面(cylinders)：不同盘片相同的磁道，构成柱面，由外至里编号0、1、2 扇区(sector)：每道磁道被划分成

　　虚拟U盘(文件系统：Fat16) /

　　【赛迪网讯】4月8日消息，据外电报道，由于内存市场趋于好转，iSuppli日前调高了2006年全球芯片营收额涨幅，由此前的6.8%增至7.4%。 据iSuppli预计，2006年全球半导体营收将达到2547亿美元，高于此前预期的2371亿美元。而明年预计可达到2852亿美元，同比将增长12%。 其中，DRAM芯片今年的销售额将达到264亿美元，涨幅6.2%，占全球半导体销售额的10%。而2005年的DRAM芯片销售额为248亿美元，同比下滑6.2%。 另外，NAND闪存今年的销售额将达到138亿美元，涨幅29%。去年，NAND闪存的销售额涨幅高达62%。

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